真空电镀反应溅射:
1.在溅射镀膜时,有意识地将某种反应性气体如氮气,氧气等引入溅射室并达到一定分压,即可以改变或者控制沉积特性,从而获得不同于靶材的新物质薄膜,2.如各种金属氧化物、氮化物、碳化物及绝缘介质等薄膜。
3.直流反应溅射存在靶z毒,阳极消失问题,上个世纪80年代出现的直流脉冲或中频孪生溅射,使反应溅射可以大规模的工业应用。
4.反应磁控溅射所用的靶材料(单位素靶或多元素靶)和反应气体(氧、氮、碳氢化合物等)通常很容易获得很高的纯度,因而有利于制备高纯度的化合物薄膜。
5.反应磁控溅射中调节沉积工艺参数,可以制备化学配比或非化学配比的化合物薄膜,从而达到通过调节薄膜的组成来调控薄膜特性的目的。
6.反应磁控溅射沉积过程中基板温度一般不会有很大的升高,而且成膜过程通常也并不要求对基板进行很高温度的加热,因而对基板材料的限制较少。
7.反应磁控溅射适合于制备大面积均匀薄膜,并能实现对镀膜的大规模工业化生产。
随着激光技术的发展,对膜层的反射率和透过率有不同的要求,促进了多层高反射膜和宽带增透膜的发展。为各种应用需要,利用高反射膜制造偏振反光膜、彩色分光膜、冷光膜和干涉滤光片等。光学零件表面镀膜后,光在膜层层上多次反射和透射,形成多光束干涉,控制膜层的折射率和厚度,可以得到不同的强度分布,这是干涉镀膜的基本原理。真空电镀:Vacuum metalizing,即是物理气相沉积(PVD),即在真空下将原子打到靶材表面上达到镀膜的目的。运用于光学镜片,如航海望远镜镜片,后来随着技术的改进,延伸到了唱片、磁盘、光盘、手机外壳、机械刀具等材料上的装饰镀膜、材料表面改性等。
几乎所有金属、合金、及陶瓷材料都适用于真空电镀。
自然材料会影响真空环境,不适合真空电镀。
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