点击图片查看原图逆变器和光伏系统的性能要求使WBG器件应用成为
自从宽带隙 （WBG） 器件诞生以来，为功率变换应用带来了一股令人激动的浪潮。但是，在什么情况下从硅片转换到宽带隙技术才有意义呢？迄今为止，屏蔽栅极 MOSFET、超级结器件和 IGBT等基于硅的功率器件已经很好地在业界得到大规模应用。这些器件在品质因数 （FoM） 方面不断改进，加上在拓扑架构和开关机理等方面的进步，使工程师能够实现更高的系统效率。工程师坚持继续使用硅片的常见原因可能是在这方面拥有丰富的知识和经验。然而，在某些情况下，下一代电源、逆变器和光伏系统的性能要求使WBG器件应用成为。
在中压应用中，英飞凌的 OptiMOS 能够提供业界更佳的品质因数。开关电源（SMPS）、逆变器和电池供电马达等需要100～200V MOSFET 的应用已经在使用这些高频优化器件。然而，随着人工智能 （AI） 协处理器等需要巨大电流的边缘运算应用越来越广泛，对提升电源供电效率和瞬态负载响应能力提出了要求。CoolGaN可提供明显优于任何同类中压硅器件的 FoM以及零反向恢复电荷，这使其成为半桥电路的选择。由于其晶体平面生长特性，使封装能够实现采用顶部散热的创新机制。在 54V 输入/12V 输出的变换器中，基于 CoolGaN 的设计可提供 15A 电流，在500 kHz 开关频率时达到超过 96.5% 的峰值效率。这比同等OptiMOS 5 100V在100 kHz开关频率下效率提高了1%。
总体而言，CoolGaN 和 CoolSiC 都能够提供更好的 FoM，并且可实现比同类硅器件更高的效率。但是，这些并不是需要考虑的因素，价格同样很重要，采用新技术带来的相关风险也是如此。GaN 和 SiC 都具有不同的驱动和工作特性，为了充分发挥这些技术的潜力，可能还需要新的拓扑架构或控制技术。
电子元器件厂家迎红利，替代芯片涨价近10倍
智能时代的到来，芯片应用范围很广，大到汽车，小到电动牙刷，与芯片有着密不可分的关系。作为经济命脉中，芯片也是不可或缺的一环，尤其在国家安全方面，芯片的作用更为重要。但是高的芯片技术被海外垄断，尤其是美国的技术遍及，由于国际贸易的摩擦，很多国内企业都被禁止使用美国技术，芯片被卡住脖子。
尽管我国零部件制造业已经成熟，但没有国产技术是空谈。台积电作为的晶圆代工厂，坐落在中国台湾，仍采用美国的技术，台积电也被限制向国内企业出口先进制程的芯片。国内的中芯国际，今年正式从亏损转为赢利，营收同比增长13.9%，目前正在研究7 nm工艺，但奈何没有光刻机技术，正努力突破。不仅中芯国际、国内几乎所有厂商都迎来了价格红利，营收大幅增长，今年确实是一个红利年。
厂商在收获喜悦的同时，也应不断增强自身的实力，争取在此期间能在产业链中占有一席之地，以后才能持续发展。
IC集成电路封装
IC封装是指包含半导体器件的材料。作为封装 IC 基板的封装，除了允许安装电触点之外，它还可以保护其免受物理损坏或腐蚀。将电触点连接到 PCB 时尤为重要。存在多种设计类型的集成电路封装系统。考虑到这些不同的类型变得很重要，因为每个类型对它们的外壳都有不同的需求。
它通常是半导体器件生产的一步。在这个阶段，半导体接收一个外壳，保护集成电路免受有害的外部元素或与年龄相关的腐蚀。外壳通过设计保护块，除了促进电接触，将信号传递到电子设备的电路板。
IC 基板的金属化实现可靠
IC 封装的镀铜解决方案
丰富的金属化选项使我们能够为您提供与您选择的电介质兼容的金属化。我们紧跟 IC 封装的趋势，并了解提高封装可靠性的具有成本效益的解决方案的需求。
同创芯提供：1、促进更好附着力的表面处理；2、化学镀铜种子沉积使介电层导电；3、过孔填充、铜柱和再分布层 (RDL) 的电镀。
我们专注于纯铜电镀，以在球栅阵列 (BGA) 和芯片级封装 (CSP) 的基板上实现的互连。高均镀能力导致出色的厚度分布。即使覆盖具有复杂几何形状的基板，也能确保高程度的可靠性。
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